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期刊名称： | 太赫兹科学与电子信息学报 |
| 期刊级别： | 国家级期刊 | |
| 国内统一刊号： | 51-1746/TN | |
| 国际标准刊号： | 2095-4980 | |
| 期刊周期： | 双月刊 | |
| 主管单位： | 中国工程物理研究院 | |
| 主办单位： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 | |
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• 期刊信息：《太赫兹科学与电子信息学报》Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology(双月刊)曾用刊名：信息与电子工程;电子技术参考(内刊)，2003年创刊，国内外公开发行，本刊面向全国各地从事太赫兹科学与电子信息技术研究的专家,学者和广大科技人员,为其搭建广泛交流新思想,新理论和新技术的桥梁,促进太赫兹科学与电子信息技术等学简直的交叉与融合,更快地推动我国太赫兹科学技术的发展。《太赫兹科学与电子信息学报》主管单位：中国工程物理研究院，主办单位：中国工程物理研究院电子工程研究所，国内统一刊号：51-1746/TN，国际标准刊号：2095-4980
• 期刊栏目：太赫兹科学技术、探测制导、测控通信与电子对抗、电磁场与微波、信号与信息处理、计算机与控制、微电子、微系统与物理电子学。
• 数据库收录情况：国家新闻出版总署收录 维普网、万方数据库、知网数据库、哥白尼索引收录
• 办刊宗旨：《太赫兹科学与电子信息学报》刊登的主要内容包括太赫兹科学技术,探测制导,测控通信与电子对抗,电磁场与微波,信号与信息处理,计算机与控制,微电子,微系统与物理电子学等,太赫兹科学技术包括太赫兹产生,放大,传输,检测等理论与技术,以及太赫兹在光谱学,通信,雷达,成像,材料检测,天文学,空间科学,生物医学等领域的应用技术等.敬希广大读者,作者继续关注我刊,踊跃投稿,订阅。
• 影响因子：截止2014年万方：影响因子：0.509;总被引频次：438
截止2014年知网：复合影响因子：0.668;综合影响因子：0.454
•《太赫兹科学与电子信息学报》投稿范例：
《信息与电子工程》更名为《太赫兹科学与电子信息学报》公告……………………………………
一种0.3THz二维光子晶体定向耦合器的设计…………………………………陈琦 何晓阳 张健
第九届全国信号和智能信息处理与应用学术会议征文通知…………………………………
热累积效应对碳纳米管场发射特性的影响…………………………………严飞 李男男 金大志 陈磊 向伟
0.14THz折叠波导行波管中衰减器的设计…………………………………雷文强 蒋艺 胡林林 马国武 陈洪斌
一种太赫兹微流控芯片…………………………………韩雪 苏波 张存林
0.45THz次谐波混频器优化设计…………………………………蒋长宏 张德海 赵鑫
平面肖特基二极管的制作…………………………………罗跃川 赵妍 沈昌乐 阎大伟
太赫兹合成孔径雷达的运动补偿…………………………………邓楚强 李崇谊 刘振华 王霞 江涛
2.52THz傅里叶数字全息中噪声影响仿真…………………………………崔珊珊 李琦 胡佳琦
太赫兹复合材料无损检测技术及其应用…………………………………张紫茵 邢砾云 张瑾 马宇婷 常天英 崔洪亮
超材料压缩感知成像技术…………………………………白佳俊 陈强 陈亮 付云起
一种基于傅里叶矩阵的多路信号调制方法…………………………………胡轶男 陶成 刘留
车载激光雷达三维点云重构与漫游方法…………………………………杨浩 游安清 潘文武 任树广 唐丹
标准低密度奇偶校验码译码算法中量化结构…………………………………兰亚柱 杨海钢 林郁
信息对抗侦察系统开放架构计算环境…………………………………甄君 梁超 夏俊清
用于平板电脑的小型化LTE/GSM/UMTS多频段天线…………………………………侯佳琪 郭庆功
投稿论文：热累积效应对碳纳米管场发射特性的影响
1991年,日本电气股份有限公司(Nippon Electric Company,NEC)的lijima在氩气氛围直流电弧放电后的阴极碳棒沉积碳墨中,通过透射电子显微镜(Transmission Electron Microscope,TEM)发现了碳纳米管[1]。此后,碳纳米管因其一系列优越的性能,如低密度、高强度、高导电性、低的电子亲和势、良好的导热性等,受到了科学工作者们的广泛关注。特别是在场致发射器件阴极材料研究领域,碳纳米管以易加工,制备成本低,阈值场强低等诸多优点而成为近年来的研究热点[2-5]。1995年,Rinzler等首次报道了关于碳纳米管在场致发射方面的研究结果[6]。同年瑞典的Heer等人研究了碳纳米管的场发射特性,提出将碳纳米管作为场发射电子源的可行性,引起了学术界的轰动[2]。国内外大量研究表明,碳纳米管场发射阵列理论上可提供非常高的发射电流和发射电流密度。但实际研究中发现,碳纳米管场发射阵列阴极总的电流提供能力受到了很大的限制[7],从而限制了其电子枪[8]在X射线管[9]、微波管等方面的应用。
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